据台媒《工商时报》援引韩媒消息报道，市场传出三星3纳米制程良率不超过20%，为此三星已与美国公司Silicon Frontline Technology扩大合作以提高良率。
据悉，Silicon Frontline Technology提供芯片资格评估和静电放电（ESD）预防技术，ESD是导致半导体芯片缺陷的一大原因，防止或减少ESD将有助于提高芯片良率。
此前有消息称三星明年度旗舰机Galaxy S23将舍弃自家芯片，全数采用由台积电4纳米生产的高通下一代骁龙8 Gen 2处理器。
业内解读指出，三星宣布领先台积电生产3纳米芯片，却在最重要的手机产品线舍弃采用自家生产的手机芯片，全数搭载台积电操刀的高通处理器。这意味着，三星晶圆代工实力仍不及台积电，即便3纳米领先同行量产，在关键的芯片良率、功耗、效能表现仍不及台积电。
